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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP610DL-7
DMP610DL-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP610DL-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP610DL-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP610DL-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMP610DL.pdf
État RoHS
En stock: 912900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP610DL-7
Diodes Incorporated - DMP610DL-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP610DL-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 310mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta)  
Numéro de produit de base DMP610  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP610DL-7

Attributs du produit DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
Modèle de produit DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta) 4.5A (Ta) 7.7A (Ta) 7.7A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base DMP610 DMP6110 DMP6023 DMP6023
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 110mOhm @ 4.5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SOT-23-3 8-SO POWERDI3333-8 POWERDI3333-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V 1030 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 310mW (Ta) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101

Fiche technique DMP610DL-7 PDF

Téléchargez DMP610DL-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP610DL-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
DMP610DL.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DMP610DL-7

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