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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMP2100UCB9-7
DMP2100UCB9-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2100UCB9-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2100UCB9-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2100UCB9-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Description détaillée
Emballage
9-UFBGA, WLBGA
Fiche technique
DMP2100UCB9.pdf
État RoHS
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2100UCB9-7
Diodes Incorporated - DMP2100UCB9-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2100UCB9-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-WLB1515-9  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 800mW  
Package / Boîte 9-UFBGA, WLBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Source  
Numéro de produit de base DMP2100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2100UCB9-7

Attributs du produit DMP2100UCB9-7 DMP2108UCB6-7 DMP2101UCB9-7 DMP2104LP-7 MOS
Modèle de produit DMP2100UCB9-7 DMP2108UCB6-7 DMP2101UCB9-7 DMP2104LP-7 MOS
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V 269pF @ 10V - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V - -
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1.1V @ 250µA - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 2.25A - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V 55mOhm @ 1A, 4.5V - -
Package / Boîte 9-UFBGA, WLBGA 6-UFBGA, WLBGA - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V - -
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual) - -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Package composant fournisseur U-WLB1515-9 U-WLB1510-6 - -
Numéro de produit de base DMP2100 DMP2108 DMP2101 -
Puissance - Max 800mW 840mW - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

Fiche technique DMP2100UCB9-7 PDF

Téléchargez DMP2100UCB9-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2100UCB9-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 22/Jan/2018.pdf Mult Dev EOL 22/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 3/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
DMP2100UCB9.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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