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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP2066UFDE-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2066UFDE-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2066UFDE-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2066UFDE-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerUDFN
Fiche technique
DMP2066UFDE.pdf
État RoHS
En stock: 179730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2066UFDE-7
Diodes Incorporated - DMP2066UFDE-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2066UFDE-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type E)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 660mW (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerUDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1537 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.4 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta)  
Numéro de produit de base DMP2066  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2066UFDE-7

Attributs du produit DMP2066UFDE-7 DMP2100U-7 DMP2078LCA3-7 DMP2066LSS-13
Modèle de produit DMP2066UFDE-7 DMP2100U-7 DMP2078LCA3-7 DMP2066LSS-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4.6A, 4.5V 38mOhm @ 3.5A, 10V 78mOhm @ 500mA, 8V 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Package / Boîte 6-PowerUDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-XFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipation de puissance (max) 660mW (Ta) 800mW (Ta) 810mW (Ta) 2.5W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.4 nC @ 4.5 V 9.1 nC @ 4.5 V 1.6 nC @ 4.5 V -
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type E) SOT-23-3 X4-DSN1006-3 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 10V 1.8V, 8V 2.5V, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1537 pF @ 10 V 216 pF @ 15 V 228 pF @ 10 V 820 pF @ 15 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta) 4.3A (Ta) 3.4A (Ta) 6.5A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±10V -12V ±12V
Numéro de produit de base DMP2066 DMP2100 DMP2078 DMP2066

Fiche technique DMP2066UFDE-7 PDF

Téléchargez DMP2066UFDE-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2066UFDE-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
DMP2066UFDE.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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