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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP2022LSSQ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2022LSSQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2022LSSQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2022LSSQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 9.3A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMP2022LSSQ.pdf
État RoHS
En stock: 73220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2022LSSQ-13
Diodes Incorporated - DMP2022LSSQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2022LSSQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2575 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60.2 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta)  
Numéro de produit de base DMP2022  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2022LSSQ-13

Attributs du produit DMP2022LSSQ-13 DMP2022LSS-13 DMP2033UVT-7 DMP2018LFK-7
Modèle de produit DMP2022LSSQ-13 DMP2022LSS-13 DMP2033UVT-7 DMP2018LFK-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.2V @ 200µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta) 10A (Ta) 4.2A (Ta) 9.2A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 2.5W (Ta) 1.2W (Ta) 1W (Ta)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO TSOT-26 U-DFN2523-6
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-PowerUDFN
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2575 pF @ 10 V 2444 pF @ 10 V 845 pF @ 15 V 4748 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DMP2022 DMP2022 DMP2033 DMP2018
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V 2.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 65mOhm @ 4.2A, 4.5V 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60.2 nC @ 10 V 56.9 nC @ 10 V 10.4 nC @ 4.5 V 113 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique DMP2022LSSQ-13 PDF

Téléchargez DMP2022LSSQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2022LSSQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMP2022LSSQ.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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