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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP2018LFK-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2018LFK-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2018LFK-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2018LFK-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerUDFN
Fiche technique
DMP2018LFK.pdf
État RoHS
En stock: 165450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2018LFK-7
Diodes Incorporated - DMP2018LFK-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2018LFK-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2523-6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerUDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4748 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.2A (Ta)  
Numéro de produit de base DMP2018  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2018LFK-7

Attributs du produit DMP2018LFK-7 DMP2010UFG-7 DMP2010UFG-13 DMP2022LSSQ-13
Modèle de produit DMP2018LFK-7 DMP2010UFG-7 DMP2010UFG-13 DMP2022LSSQ-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.2A (Ta) 12.7A (Ta), 42A (Tc) 12.7A (Ta), 42A (Tc) 9.3A (Ta)
Numéro de produit de base DMP2018 DMP2010 DMP2010 DMP2022
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Package / Boîte 6-PowerUDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 60.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4748 pF @ 10 V 3350 pF @ 10 V 3350 pF @ 10 V 2575 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 10V
Package composant fournisseur U-DFN2523-6 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 8-SO
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 900mW (Ta) 900mW (Ta) 1.6W (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±10V ±10V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 3.6A, 4.5V 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)

Fiche technique DMP2018LFK-7 PDF

Téléchargez DMP2018LFK-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2018LFK-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
DMP2018LFK.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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