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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN6140LQ-7
DMN6140LQ-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN6140LQ-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN6140LQ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN6140LQ-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMN6140LQ.pdf
État RoHS
En stock: 432990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated - DMN6140LQ-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN6140LQ-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base DMN6140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN6140LQ-7

Attributs du produit DMN6140LQ-7 DMN61D8LQ-7 DMN60H080DS-7 DMN61D9U-7
Modèle de produit DMN6140LQ-7 DMN61D8LQ-7 DMN60H080DS-7 DMN61D9U-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Numéro de produit de base DMN6140 DMN61 DMN60 DMN61
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.8A, 10V 1.8Ohm @ 150mA, 5V 100Ohm @ 60mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V 0.74 nC @ 5 V 1.7 nC @ 10 V 0.4 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 3V, 5V 4.5V, 10V 1.8V, 5V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 40 V 12.9 pF @ 12 V 25 pF @ 25 V 28.5 pF @ 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 390mW (Ta) 1.1W (Ta) 370mW (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 470mA (Ta) 80mA (Ta) 380mA (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 600 V 60 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 1mA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique DMN6140LQ-7 PDF

Téléchargez DMN6140LQ-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN6140LQ-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
DMN6140LQ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMN6140LQ-7

Diodes Incorporated
32D-DMN6140LQ-7

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