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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN6140L-13
DMN6140L-13 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN6140L-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN6140L-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN6140L-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMN6140L.pdf
État RoHS
En stock: 567550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN6140L-13
Diodes Incorporated - DMN6140L-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN6140L-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base DMN6140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN6140L-13

Attributs du produit DMN6140L-13 DMN6075S-7 DMN6075SQ-13 DMN60H3D5SK3-13
Modèle de produit DMN6140L-13 DMN6075S-7 DMN6075SQ-13 DMN60H3D5SK3-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 40 V 606 pF @ 20 V 606 pF @ 20 V 354 pF @ 25 V
Numéro de produit de base DMN6140 DMN6075 DMN6075 DMN60
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 2A (Ta) 2A (Ta) 2.8A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 600 V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.8A, 10V 85mOhm @ 3.2A, 10V 85mOhm @ 3.2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 800mW (Ta) 800mW (Ta) 41W (Tc)

Fiche technique DMN6140L-13 PDF

Téléchargez DMN6140L-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN6140L-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
DMN6140L.pdf

Mode de transport

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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