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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN3024LSS-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN3024LSS-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN3024LSS-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMN3024LSS.pdf
État RoHS
En stock: 236620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated - DMN3024LSS-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN3024LSS-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.4A (Ta)  
Numéro de produit de base DMN3024  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN3024LSS-13

Attributs du produit DMN3024LSS-13 DMN3026LVT-7 DMN3023L-7 DMN3024LK3-13
Modèle de produit DMN3024LSS-13 DMN3026LVT-7 DMN3023L-7 DMN3024LK3-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base DMN3024 DMN3026 DMN3023 DMN3024
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.4A (Ta) 6.6A (Ta) 6.2A (Ta) 9.78A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 15 V 643 pF @ 15 V 873 pF @ 15 V 608 pF @ 15 V
Package composant fournisseur 8-SO TSOT-23-6 SOT-23-3 TO-252-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.2W (Ta) 900mW (Ta) 2.17W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 18.4 nC @ 10 V 12.9 nC @ 10 V
Séries - - - -

Fiche technique DMN3024LSS-13 PDF

Téléchargez DMN3024LSS-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN3024LSS-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
DMN3024LSS.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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