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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN3024LSD-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN3024LSD-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN3024LSD-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN3024LSD-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMN3024LSD.pdf
État RoHS
En stock: 123550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN3024LSD-13
Diodes Incorporated - DMN3024LSD-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN3024LSD-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Puissance - Max 1.8W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMN3024  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN3024LSD-13

Attributs du produit DMN3024LSD-13 DMN3024SFG-7 DMN3022LDG DMN3024LSD
Modèle de produit DMN3024LSD-13 DMN3024SFG-7 DMN3022LDG DMN3024LSD
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated HAMOS Diodes Incorporated
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A 7.5A (Ta) - -
Puissance - Max 1.8W - - -
Package composant fournisseur 8-SO POWERDI3333-8 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V 479 pF @ 15 V - -
Numéro de produit de base DMN3024 DMN3024 - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 10A, 10V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30 V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V 10.5 nC @ 10 V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Séries - - - -

Fiche technique DMN3024LSD-13 PDF

Téléchargez DMN3024LSD-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN3024LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
DMN3024LSD.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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