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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN3008SFGQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN3008SFGQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN3008SFGQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
DMN3008SFGQ.pdf
État RoHS
En stock: 128380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated - DMN3008SFGQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN3008SFGQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerDI3333-8  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.6A (Ta), 62A (Tc)  
Numéro de produit de base DMN3008  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-13

Attributs du produit DMN3008SFGQ-13 DMN3009LFVW-7 DMN3009SFGQ-13 DMN3008SCP10-7
Modèle de produit DMN3008SFGQ-13 DMN3009LFVW-7 DMN3009SFGQ-13 DMN3008SCP10-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V 2000 pF @ 15 V 2000 pF @ 15 V 1476 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 31.3 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Numéro de produit de base DMN3008 DMN3009 DMN3009 DMN3008
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.6A (Ta), 62A (Tc) 60A (Tc) 16A (Ta), 45A (Tc) 14.6A (Ta)
Package composant fournisseur PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX PowerDI3333-8 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 13.5A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 7.8mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta) 1W (Ta) 900mW (Ta) 2.7W (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount -
Séries Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique DMN3008SFGQ-13 PDF

Téléchargez DMN3008SFGQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN3008SFGQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Assembly/Test Site 24/Aug/2021.pdf
Feuilles de données
DMN3008SFGQ.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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