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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN3008SFG-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN3008SFG-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN3008SFG-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN3008SFG-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
DMN3008SFG.pdf
État RoHS
En stock: 131720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN3008SFG-13
Diodes Incorporated - DMN3008SFG-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN3008SFG-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerDI3333-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.6A (Ta)  
Numéro de produit de base DMN3008  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN3008SFG-13

Attributs du produit DMN3008SFG-13 DMN3009SK3-13 DMN3009SFGQ-13 DMN3009LFV-7
Modèle de produit DMN3008SFG-13 DMN3009SK3-13 DMN3009SFGQ-13 DMN3009LFV-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta) 3.4W (Ta) 900mW (Ta) 2W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V 2000 pF @ 15 V 2000 pF @ 15 V 2000 pF @ 15 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base DMN3008 DMN3009 DMN3009 DMN3009
Package composant fournisseur PowerDI3333-8 TO-252, (D-Pak) PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.6A (Ta) 80A (Tc) 16A (Ta), 45A (Tc) 60A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 10V 5.5mOhm @ 30A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 5.5mOhm @ 30A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique DMN3008SFG-13 PDF

Téléchargez DMN3008SFG-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN3008SFG-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
DMN3008SFG.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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