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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN2016LHAB-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN2016LHAB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN2016LHAB-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMN2016LHAB.pdf
État RoHS
En stock: 259480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated - DMN2016LHAB-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN2016LHAB-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2030-6 (Type B)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Puissance - Max 1.2W  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base DMN2016  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7

Attributs du produit DMN2016LHAB-7 DMN2016LFG-7 DMN2019UTS-13 DMN2016UTS-13
Modèle de produit DMN2016LHAB-7 DMN2016LFG-7 DMN2019UTS-13 DMN2016UTS-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerUDFN 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V 18.5mOhm @ 7A, 10V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A 5.2A 5.4A 8.58A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 1.2W 770mW 780mW 880mW
Numéro de produit de base DMN2016 DMN2016 DMN2019 DMN2016
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V 8.8nC @ 4.5V 16.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V 1472pF @ 10V 143pF @ 10V 1495pF @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur U-DFN2030-6 (Type B) U-DFN3030-8 8-TSSOP 8-TSSOP

Fiche technique DMN2016LHAB-7 PDF

Téléchargez DMN2016LHAB-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN2016LHAB-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMN2016LHAB.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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