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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN2013UFX-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN2013UFX-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN2013UFX-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN2013UFX-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Description détaillée
Emballage
6-VFDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMN2013UFX.pdf
État RoHS
En stock: 184410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN2013UFX-7
Diodes Incorporated - DMN2013UFX-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN2013UFX-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur W-DFN5020-6  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V  
Puissance - Max 2.14W  
Package / Boîte 6-VFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base DMN2013  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN2013UFX-7

Attributs du produit DMN2013UFX-7 DMN2016LHAB-7 DMN2012UCA6-7 DMN2016LFG-7
Modèle de produit DMN2013UFX-7 DMN2016LHAB-7 DMN2012UCA6-7 DMN2016LFG-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 7.5A 13A (Ta) 5.2A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V 16nC @ 4.5V 26nC @ 4V 16nC @ 4.5V
Package composant fournisseur W-DFN5020-6 U-DFN2030-6 (Type B) X3-DSN2718-6 U-DFN3030-8
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 24V 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.3V @ 1mA 1.1V @ 250µA
Numéro de produit de base DMN2013 DMN2016 DMN2012 DMN2016
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Package / Boîte 6-VFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-SMD, No Lead 8-PowerUDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V 1550pF @ 10V 2417pF @ 10V 1472pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V 15.5mOhm @ 4A, 4.5V 9mOhm @ 5A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V
Puissance - Max 2.14W 1.2W 820mW 770mW

Fiche technique DMN2013UFX-7 PDF

Téléchargez DMN2013UFX-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN2013UFX-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
DMN2013UFX.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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