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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS123TA
BSS123TA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS123TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
BSS123TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-BSS123TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS123 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 310920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS123TA
Diodes Incorporated - BSS123TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - BSS123TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta)  
Numéro de produit de base BSS123  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated BSS123TA

Attributs du produit BSS123TA BSS123Q-13 BSS123WQ-7-F BSS123W-7-F
Modèle de produit BSS123TA BSS123Q-13 BSS123WQ-7-F BSS123W-7-F
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fonction FET - - - -
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta) 170mA (Ta) 170mA (Ta) 170mA (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-323 SOT-323
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta) 300mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
Numéro de produit de base BSS123 BSS123 BSS123 BSS123

Fiche technique BSS123TA PDF

Téléchargez BSS123TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour BSS123TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 4/Nov/2020.pdf
Feuilles de données
BSS123 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSS123TA

Diodes Incorporated
32D-BSS123TA

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