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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS123LT1G
BSS123LT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS123LT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BSS123LT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BSS123LT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf
État RoHS
En stock: 393800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS123LT1G
onsemi - BSS123LT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BSS123LT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 225mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta)  
Numéro de produit de base BSS123  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BSS123LT1G

Attributs du produit BSS123LT1G BSS123 BSS123L BSS123Q-7
Modèle de produit BSS123LT1G BSS123 BSS123L BSS123Q-7
Fabricant onsemi Yangjie Technology Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta) 170mA 170mA (Ta) 170mA (Ta)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA 2.8V @ 250µA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Numéro de produit de base BSS123 - - BSS123
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 21.5 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 225mW (Ta) 350mW 360mW (Ta) 300mW (Ta)

Fiche technique BSS123LT1G PDF

Téléchargez BSS123LT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BSS123LT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 26/May/2009.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020.pdf
Emballage PCN
New taping option 15/May/2019.pdf
Feuilles de données
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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