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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPB77N06S2-12
SPB77N06S2-12 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPB77N06S2-12 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPB77N06S2-12
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPB77N06S2-12
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SPP,SPB77N06S2-12.pdf
En stock: 3730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPB77N06S2-12
Infineon Technologies - SPB77N06S2-12 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPB77N06S2-12

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 158W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base SPB77N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPB77N06S2-12

Attributs du produit SPB77N06S2-12 SPB80N03S2L-03 SPB73N03S2L-08 SPB47N10L
Modèle de produit SPB77N06S2-12 SPB80N03S2L-03 SPB73N03S2L-08 SPB47N10L
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 73A (Tc) 47A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ SIPMOS®
Numéro de produit de base SPB77N SPB80N SPB73N SPB47N
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V 8180 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 38A, 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V 8.1mOhm @ 36A, 10V 26mOhm @ 33A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 46.2 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V 30 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA 2V @ 250µA 2V @ 55µA 2V @ 2mA
Dissipation de puissance (max) 158W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 175W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2

Fiche technique SPB77N06S2-12 PDF

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Autres documents connexes
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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