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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPB73N03S2L-08
SPB73N03S2L-08 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPB73N03S2L-08 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPB73N03S2L-08
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPB73N03S2L-08
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 73A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SP(I,B,P)73N03S2L-08.pdf
En stock: 5180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPB73N03S2L-08
Infineon Technologies - SPB73N03S2L-08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPB73N03S2L-08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 55µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 73A (Tc)  
Numéro de produit de base SPB73N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPB73N03S2L-08

Attributs du produit SPB73N03S2L-08 SPB47N10 SPB80N03S2-03 SPB77N06S2-12
Modèle de produit SPB73N03S2L-08 SPB47N10 SPB80N03S2-03 SPB77N06S2-12
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base SPB73N SPB47N SPB80N SPB77N
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 73A (Tc) 47A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46.2 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V 2350 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 55µA 4V @ 2mA 4V @ 250µA 4V @ 93µA
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 175W (Tc) 300W (Tc) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 36A, 10V 33mOhm @ 33A, 10V 3.1mOhm @ 80A, 10V 12mOhm @ 38A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 55 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique SPB73N03S2L-08 PDF

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Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
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SP(I,B,P)73N03S2L-08.pdf

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