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IRS2011PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRS2011PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRS2011PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRS2011PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Description détaillée
Emballage
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Fiche technique
IRS2011PBF Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 24761

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRS2011PBF
Infineon Technologies - IRS2011PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRS2011PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-PDIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 15ns  
Package / Boîte 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V  
Type d'entrée Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 200 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 1A, 1A  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base IRS2011  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRS2011PBF

Attributs du produit IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004SPBF IRS2005MTRPBF
Modèle de produit IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004SPBF IRS2005MTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Type d'entrée Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Package composant fournisseur 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC 14-MLPQ (4x4)
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de porte N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Current - Peak Output (Source, Évier) 1A, 1A 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Package / Boîte 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-VFQFN Exposed Pad
courant de charge Independent Independent Synchronous Independent
Séries - - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base IRS2011 IRS2005 IRS2004 IRS2005
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 15ns 70ns, 30ns 70ns, 35ns 70ns, 30ns
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge

Fiche technique IRS2011PBF PDF

Téléchargez IRS2011PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRS2011PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Fiche technique HTML
IRS2011PBF Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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