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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLS4030TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLS4030TRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLS4030TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRLS4030TRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 14480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLS4030TRLPBF
Infineon Technologies - IRLS4030TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLS4030TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLS4030  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLS4030TRLPBF

Attributs du produit IRLS4030TRLPBF IRLSL3036PBF IRLSL3034PBF IRLSL4030PBF
Modèle de produit IRLS4030TRLPBF IRLSL3036PBF IRLSL3034PBF IRLSL4030PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 162 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur D2PAK TO-262 TO-262 TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 195A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V 11210 pF @ 50 V 10315 pF @ 25 V 11360 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRLS4030 - - IRLSL4030
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 370W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 40 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V

Fiche technique IRLS4030TRLPBF PDF

Téléchargez IRLS4030TRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLS4030TRLPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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