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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLS510A
IRLS510A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLS510A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
IRLS510A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-IRLS510A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLS510A.pdf
En stock: 5140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLS510A
onsemi - IRLS510A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - IRLS510A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 23W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLS51  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi IRLS510A

Attributs du produit IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
Modèle de produit IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
Fabricant onsemi onsemi Infineon Technologies International Rectifier
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V 180mOhm @ 4.9A, 5V 2.4mOhm @ 165A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V 11210 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-262 D2PAK
Numéro de produit de base IRLS51 IRLS640 - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 56 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 9.8A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 60 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 23W (Tc) 40W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V

Fiche technique IRLS510A PDF

Téléchargez IRLS510A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour IRLS510A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
IRLS510A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLS510A

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