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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3915PBF
IRLR3915PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3915PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3915PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3915PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR3915PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3915PBF
Infineon Technologies - IRLR3915PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3915PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 120W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3915PBF

Attributs du produit IRLR3915PBF IRLR3802PBF IRLR3915TRPBF IRLR3717PBF
Modèle de produit IRLR3915PBF IRLR3802PBF IRLR3915TRPBF IRLR3717PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V ±12V ±16V ±20V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 120W (Tc) 88W (Tc) 120W (Tc) 89W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 41 nC @ 5 V 92 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.9V @ 250µA 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 55 V 12 V 55 V 20 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 84A (Tc) 30A (Tc) 120A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V 2490 pF @ 6 V 1870 pF @ 25 V 2830 pF @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V - 5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRLR3915PBF PDF

Téléchargez IRLR3915PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR3915PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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