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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3802PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRLR3802PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRLR3802PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3802PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR3802PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 64560

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3802PBF
International Rectifier - IRLR3802PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRLR3802PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRLR3802PBF

Attributs du produit IRLR3802PBF IRLR3915TRPBF IRLR3717PBF IRLR3717TRPBF
Modèle de produit IRLR3802PBF IRLR3915TRPBF IRLR3717PBF IRLR3717TRPBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc) 30A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 12 V 55 V 20 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±16V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V 92 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) 120W (Tc) 89W (Tc) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V
Package composant fournisseur TO-252AA D-Pak D-Pak D-Pak
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 6 V 1870 pF @ 25 V 2830 pF @ 10 V 2830 pF @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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