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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR2705TRL
IRLR2705TRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR2705TRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR2705TRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR2705TRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR/U2705.pdf
En stock: 4820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR2705TRL
Infineon Technologies - IRLR2705TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR2705TRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR2705TRL

Attributs du produit IRLR2705TRL IRLR2703TRLPBF IRLR2703TRPBF IRLR2905PBF
Modèle de produit IRLR2705TRL IRLR2703TRLPBF IRLR2703TRPBF IRLR2905PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 48 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V 30 V 55 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 42A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

Fiche technique IRLR2705TRL PDF

Téléchargez IRLR2705TRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR2705TRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRLR/U2705.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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