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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR2703PBF
IRLR2703PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR2703PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR2703PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR2703PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR2703PBF.pdf
État RoHS
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR2703PBF
Infineon Technologies - IRLR2703PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR2703PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR2703PBF

Attributs du produit IRLR2703PBF IRLR2703TRLPBF IRLR210ATF IRLR2703TRPBF
Modèle de produit IRLR2703PBF IRLR2703TRLPBF IRLR210ATF IRLR2703TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 23A (Tc) 2.7A (Tc) 23A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 5V 45mOhm @ 14A, 10V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 5V 4V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) 45W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 200 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 9 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRLR2703PBF PDF

Téléchargez IRLR2703PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR2703PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Autre
Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf

Mode de transport

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Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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