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IRLR120NTRR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR120NTRR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR120NTRR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR120NTRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR/U120N.pdf
En stock: 4030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR120NTRR
Infineon Technologies - IRLR120NTRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR120NTRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR120NTRR

Attributs du produit IRLR120NTRR IRLR120NTRLPBF IRLR130ATM IRLR120NTRPBF
Modèle de produit IRLR120NTRR IRLR120NTRLPBF IRLR130ATM IRLR120NTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 48W (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 13A (Tc) 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V 185mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 6.5A, 5V 185mOhm @ 6A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 5V 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique IRLR120NTRR PDF

Téléchargez IRLR120NTRR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR120NTRR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IRLR/U120N.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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