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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR120NTRLPBF
IRLR120NTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR120NTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR120NTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR120NTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR120NTRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 56370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR120NTRLPBF
Infineon Technologies - IRLR120NTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR120NTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLR120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR120NTRLPBF

Attributs du produit IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRR IRLR120TR IRLR120NTRPBF
Modèle de produit IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRR IRLR120TR IRLR120NTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRLR120 - IRLR120 IRLR120
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 48W (Tc)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V 185mOhm @ 6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 5V 185mOhm @ 6A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 7.7A (Tc) 10A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±16V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRLR120NTRLPBF PDF

Téléchargez IRLR120NTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR120NTRLPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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