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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLMS2002TR
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IRLMS2002TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLMS2002TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLMS2002TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
IRLMS2002TR.pdf
Notre certification
En stock: 4810

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLMS2002TR
Infineon Technologies - IRLMS2002TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLMS2002TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(SOT23-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLMS2002TR

Attributs du produit IRLMS2002TR IRLMS2002 IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF
Modèle de produit IRLMS2002TR IRLMS2002 IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 3.2A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Package / Boîte SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Emballer Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 7 nC @ 4.5 V 9.6 nC @ 10 V
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V 300 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V

Fiche technique IRLMS2002TR PDF

Téléchargez IRLMS2002TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLMS2002TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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