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IRLMS2002 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLMS2002
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLMS2002
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
IRLMS2002.pdf
Notre certification
En stock: 3730

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLMS2002
Infineon Technologies - IRLMS2002 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLMS2002

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(SOT23-6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numéro de produit de base IRLMS200  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLMS2002

Attributs du produit IRLMS2002 IRLMS1503TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1902TRPBF
Modèle de produit IRLMS2002 IRLMS1503TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1902TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 5.5A (Ta) 3.2A (Ta)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V 7 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6)
Numéro de produit de base IRLMS200 IRLMS1503 - IRLMS1902
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Package / Boîte SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1820 pF @ 10 V 300 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRLMS2002 PDF

Téléchargez IRLMS2002 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLMS2002 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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