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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLL2703
IRLL2703 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLL2703 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLL2703
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLL2703
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRLL2703.pdf
En stock: 4140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLL2703
Infineon Technologies - IRLL2703 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLL2703

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLL2703

Attributs du produit IRLL2703 IRLL110TR IRLL2703PBF IRLL2705TRPBF
Modèle de produit IRLL2703 IRLL110TR IRLL2703PBF IRLL2705TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 45mOhm @ 3.9A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V 48 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A (Ta) 1.5A (Tc) 3.9A (Ta) 3.8A (Ta)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 55 V

Fiche technique IRLL2703 PDF

Téléchargez IRLL2703 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLL2703 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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