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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI2203NPBF
IRLI2203NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLI2203NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLI2203NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI2203NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLI2203NPbF.pdf
En stock: 3870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLI2203NPBF
Infineon Technologies - IRLI2203NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLI2203NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLI2203NPBF

Attributs du produit IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2505 IRLI2203N
Modèle de produit IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2505 IRLI2203N
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 55 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 8mOhm @ 31A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc) 47W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP PG-TO220-FP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 31A (Tc) 58A (Tc) 61A (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRLI2203NPBF PDF

Téléchargez IRLI2203NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLI2203NPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Feuilles de données
IRLI2203NPbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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