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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3103STRR
IRL3103STRR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3103STRR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3103STRR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3103STRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL3103STRR.pdf
En stock: 4280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3103STRR
Infineon Technologies - IRL3103STRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3103STRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3103STRR

Attributs du produit IRL3103STRR IRL3103STRLPBF IRL3103STRL IRL3103S
Modèle de produit IRL3103STRR IRL3103STRLPBF IRL3103STRL IRL3103S
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRL3103STRR PDF

Téléchargez IRL3103STRR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3103STRR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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