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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3103S
IRL3103S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3103S - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3103S
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3103S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL3103S.pdf
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3103S
Infineon Technologies - IRL3103S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3103S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3103S

Attributs du produit IRL3103S IRL3103D1STRL IRL3103LPBF IRL3103SPBF
Modèle de produit IRL3103S IRL3103D1STRL IRL3103LPBF IRL3103SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 43 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-262 D2PAK
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries HEXFET® FETKY™ HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRL3103S PDF

Téléchargez IRL3103S PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3103S - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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