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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3102SPBF
IRL3102SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3102SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3102SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3102SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL3102SPbF.pdf
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3102SPBF
Infineon Technologies - IRL3102SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3102SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V  
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 7V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3102SPBF

Attributs du produit IRL3102SPBF IRL3102 IRL3103D1STRL IRL2910STRLPBF
Modèle de produit IRL3102SPBF IRL3102 IRL3103D1STRL IRL2910STRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V 2500 pF @ 15 V 1900 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V 58 nC @ 4.5 V 43 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 14mOhm @ 34A, 10V 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 7V 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4V, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 61A (Tc) 64A (Tc) 55A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc) 89W (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

Fiche technique IRL3102SPBF PDF

Téléchargez IRL3102SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3102SPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IRL3102SPbF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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