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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3102
IRL3102 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3102 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3102
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3102
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL3102.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3102
Infineon Technologies - IRL3102 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3102

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V  
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 7V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3102

Attributs du produit IRL3102 IRL2910PBF IRL3102PBF IRL2910STRLPBF
Modèle de produit IRL3102 IRL2910PBF IRL3102PBF IRL2910STRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 7V 4V, 10V 4.5V, 7V 4V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 58 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V 3700 pF @ 25 V 2500 pF @ 15 V 3700 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V 26mOhm @ 29A, 10V 13mOhm @ 37A, 7V 26mOhm @ 29A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V 20 V 100 V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 55A (Tc) 61A (Tc) 55A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc) 200W (Tc) 89W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

Fiche technique IRL3102 PDF

Téléchargez IRL3102 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3102 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRL3102.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRL3102

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