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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL1104
IRL1104 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL1104 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL1104
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL1104
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL1104.pdf
En stock: 4520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL1104
Infineon Technologies - IRL1104 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL1104

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL1104

Attributs du produit IRL1104 IRL1104SPBF IRL1104LPBF IRL1004STRRPBF
Modèle de produit IRL1104 IRL1104SPBF IRL1104LPBF IRL1004STRRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 D2PAK
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 130A (Tc)

Fiche technique IRL1104 PDF

Téléchargez IRL1104 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL1104 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRL1104.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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