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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL100HS121
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL100HS121 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL100HS121
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL100HS121
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerVDFN
Fiche technique
IRL100HS121.pdf
État RoHS
En stock: 57070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL100HS121
Infineon Technologies - IRL100HS121 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL100HS121

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PQFN Dual (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 11.5W (Tc)  
Package / Boîte 6-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL100HS121

Attributs du produit IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
Modèle de produit IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc)
Package / Boîte 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numéro de produit de base IRL100 - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Dissipation de puissance (max) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK TO-220AB TO-262

Fiche technique IRL100HS121 PDF

Téléchargez IRL100HS121 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL100HS121 - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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