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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ46NPBF
IRFZ46NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ46NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ46NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ46NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ46NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 70570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ46NPBF
Infineon Technologies - IRFZ46NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ46NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 53A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ46  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ46NPBF

Attributs du produit IRFZ46NPBF IRFZ46NS IRFZ44ZLPBF IRFZ46NL
Modèle de produit IRFZ46NPBF IRFZ46NS IRFZ44ZLPBF IRFZ46NL
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRFZ46 - IRFZ44 -
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 53A (Tc) 53A (Tc) 51A (Tc) 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

Fiche technique IRFZ46NPBF PDF

Téléchargez IRFZ46NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ46NPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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