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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ44ZPBF
IRFZ44ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ44ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ44ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ44ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ44ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 120290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ44ZPBF
Infineon Technologies - IRFZ44ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ44ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ44ZPBF

Attributs du produit IRFZ44ZPBF IRFZ46NS IRFZ46NL IRFZ44Z
Modèle de produit IRFZ44ZPBF IRFZ46NS IRFZ46NL IRFZ44Z
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-220AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc) 53A (Tc) 53A (Tc) 51A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 80W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IRFZ44 - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRFZ44ZPBF PDF

Téléchargez IRFZ44ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ44ZPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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