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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ34EPBF
IRFZ34EPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ34EPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ34EPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ34EPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ34EPbF.pdf
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ34EPBF
Infineon Technologies - IRFZ34EPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ34EPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ34EPBF

Attributs du produit IRFZ34EPBF IRFZ30 IRFZ34 IRFZ34E
Modèle de produit IRFZ34EPBF IRFZ30 IRFZ34 IRFZ34E
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 16A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V 42mOhm @ 17A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 60 V 60 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 28A (Tc)
Séries HEXFET® - - HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc) 74W (Tc) 88W (Tc) 68W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB

Fiche technique IRFZ34EPBF PDF

Téléchargez IRFZ34EPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ34EPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRFZ34EPbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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