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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU3518-701PBF
IRFU3518-701PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU3518-701PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU3518-701PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU3518-701PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU3518-701PBF.pdf
En stock: 4210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU3518-701PBF
Infineon Technologies - IRFU3518-701PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU3518-701PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU3518-701PBF

Attributs du produit IRFU3518-701PBF IRFU3704 IRFU3607PBF IRFU3706
Modèle de produit IRFU3518-701PBF IRFU3704 IRFU3607PBF IRFU3706
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 84 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc) 75A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 90W (Tc) 140W (Tc) 88W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 20 V 75 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 3070 pF @ 50 V 2410 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 2.8V, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 100µA 2V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 18A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique IRFU3518-701PBF PDF

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Autres documents connexes
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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