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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU3504Z
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU3504Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU3504Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU3504Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR3504Z, IRFU3504Z.pdf
En stock: 3810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU3504Z
Infineon Technologies - IRFU3504Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU3504Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU3504Z

Attributs du produit IRFU3504Z IRFU3410PBF IRFU3704 IRFU3504ZPBF
Modèle de produit IRFU3504Z IRFU3410PBF IRFU3704 IRFU3504ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 20 V 40 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 1510 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 42A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 45 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 31A (Tc) 75A (Tc) 42A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)

Fiche technique IRFU3504Z PDF

Téléchargez IRFU3504Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFU3504Z - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRFR3504Z, IRFU3504Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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