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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS31N20DTRL
IRFS31N20DTRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS31N20DTRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS31N20DTRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS31N20DTRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D.pdf
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS31N20DTRL
Infineon Technologies - IRFS31N20DTRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS31N20DTRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS31N20DTRL

Attributs du produit IRFS31N20DTRL IRFS31N20DTRLP IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DTRRP
Modèle de produit IRFS31N20DTRL IRFS31N20DTRLP IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DTRRP
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 240A (Tc) 31A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 75 V 200 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V 2370 pF @ 25 V 9200 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 370W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc)

Fiche technique IRFS31N20DTRL PDF

Téléchargez IRFS31N20DTRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS31N20DTRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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