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IRFS3004PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3004PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3004PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3004PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3004PBF.pdf
État RoHS
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3004PBF
Infineon Technologies - IRFS3004PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3004PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3004PBF

Attributs du produit IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3004TRL7PP
Modèle de produit IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3004TRL7PP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Ta) 195A (Ta) 240A (Tc) 240A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 8850 pF @ 50 V 9130 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 380W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRFS3004PBF PDF

Téléchargez IRFS3004PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3004PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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