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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS23N20DTRLP
IRFS23N20DTRLP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS23N20DTRLP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS23N20DTRLP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS23N20DTRLP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS23N20DTRLP.pdf
État RoHS
En stock: 4190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS23N20DTRLP
Infineon Technologies - IRFS23N20DTRLP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS23N20DTRLP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS23N20DTRLP

Attributs du produit IRFS23N20DTRLP IRFS23N15D IRFS23N20D IRFS3004PBF
Modèle de produit IRFS23N20DTRLP IRFS23N15D IRFS23N20D IRFS3004PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V 90mOhm @ 14A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 380W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc) 195A (Ta)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 150 V 200 V 40 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFS23N20DTRLP PDF

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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