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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3707ZTRRPBF
IRFR3707ZTRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3707ZTRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR3707ZTRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3707ZTRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR3707ZTRRPBF.pdf
En stock: 4330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3707ZTRRPBF
Infineon Technologies - IRFR3707ZTRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR3707ZTRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR3707ZTRRPBF

Attributs du produit IRFR3707ZTRRPBF IRFR3709Z IRFR3708 IRFR3708TRLPBF
Modèle de produit IRFR3707ZTRRPBF IRFR3709Z IRFR3708 IRFR3708TRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 86A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 79W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRFR3707ZTRRPBF PDF

Téléchargez IRFR3707ZTRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFR3707ZTRRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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