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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3707ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR3707ZTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3707ZTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR3707ZTRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 100540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies - IRFR3707ZTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR3707ZTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR3707  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR3707ZTRPBF

Attributs du produit IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRRPBF IRFR3708 IRFR3708TRPBF
Modèle de produit IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRRPBF IRFR3708 IRFR3708TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 56A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IRFR3707 - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V 1150 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique IRFR3707ZTRPBF PDF

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