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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3504PBF
IRFR3504PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3504PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR3504PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3504PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRF(R,U)3504PbF.pdf
En stock: 4340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3504PBF
Infineon Technologies - IRFR3504PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR3504PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR3504PBF

Attributs du produit IRFR3504PBF IRFR3418PBF IRFR3504TRPBF IRFR3504ZTRPBF
Modèle de produit IRFR3504PBF IRFR3418PBF IRFR3504TRPBF IRFR3504ZTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 70A (Tc) 30A (Tc) 42A (Tc)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 3510 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 140W (Tc) 90W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 80 V 40 V 40 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 18A, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 42A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRFR3504PBF PDF

Téléchargez IRFR3504PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFR3504PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF(R,U)3504PbF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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