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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3418PBF
IRFR3418PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3418PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR3418PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3418PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR3418PbF, IRFU3418PbF.pdf
En stock: 5450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3418PBF
Infineon Technologies - IRFR3418PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR3418PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3510 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR3418PBF

Attributs du produit IRFR3418PBF IRFR3411PBF IRFR3412PBF IRFR3412TRPBF
Modèle de produit IRFR3418PBF IRFR3411PBF IRFR3412PBF IRFR3412TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3510 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 3430 pF @ 25 V 3430 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 32A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 18A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 25mOhm @ 29A, 10V 25mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 130W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 100 V 100 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRFR3418PBF PDF

Téléchargez IRFR3418PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFR3418PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRFR3418PbF, IRFU3418PbF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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