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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR1205TRRPBF
IRFR1205TRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR1205TRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR1205TRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR1205TRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR1205TRRPBF.pdf
En stock: 5350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR1205TRRPBF
Infineon Technologies - IRFR1205TRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR1205TRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR1205  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR1205TRRPBF

Attributs du produit IRFR1205TRRPBF IRFR120 IRFR120 IRFR1205
Modèle de produit IRFR1205TRRPBF IRFR120 IRFR120 IRFR1205
Fabricant Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 55 V 100 V 100 V 55 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 107W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® - - HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc) 44A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 27mOhm @ 26A, 10V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Numéro de produit de base IRFR1205 - IRFR120 -

Fiche technique IRFR1205TRRPBF PDF

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Autres documents connexes
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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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