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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR1205PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR1205PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFR1205PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR1205PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR1205PBF.pdf
État RoHS
En stock: 3690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR1205PBF
International Rectifier - IRFR1205PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFR1205PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFR1205PBF

Attributs du produit IRFR1205PBF IRFR110TRLPBF IRFR110TRRPBF IRFR120
Modèle de produit IRFR1205PBF IRFR110TRLPBF IRFR110TRRPBF IRFR120
Fabricant International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 7.7A (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 100 V 100 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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